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版主: 188****8888 张飞实战电子

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用MT3540芯片设计BOOST电路（3）

用MT3540芯片设计BOOST电路在理解了以上这些概念之后，我们现在可以来计算Boost电路的电感量L了。由于电感是储能元件，如果忽略自身电阻带来的损耗，可以...

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用MT3540芯片设计BOOST电路（2）

用MT3540芯片设计BOOST电路当开关断开时：比如说，当开关闭合，经过了t1时间后，开关再断开。由于开关断开，就形成了新的回路，如上图所示。由于负载电流比...

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用MT3540芯片设计BOOST电路（1）

用MT3540芯片设计BOOST电路MT3540是一款Boost芯片，它的输入电压范围：2.5~5.5V，输出电压范围：最高28V（在Vin=5V，Io=100mA条件下）。最大负载电...

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MOSFET讲解（18）

MOSFET讲解当Vds电压升高时，MOSFET寄生电容总体呈下降的。当Vds电压越低的时候，MOSFET寄生电容越来越大，尤其是Coss电容。那么，随着电压的...

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MOSFET讲解（17）

MOSFET讲解接下来接着看12N50数据手册。上面这个参数是MOSFET的热阻，RBJC 表示MOS管结温到表面的热阻，这里我们知道RBJC=0.75。热阻的计...

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MOSFET讲解（16）

MOSFET讲解接下来讨论低阈值管子的优势。那么，MOSFET的导通阈值低，它的好处就说对信号的幅值要求就小了。假设MOSFET的导通阈值是1V 或者2V，...

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MOSFET讲解（15）

MOSFET讲解快续流的方式，电机的平均功率要小。慢续流的方式，电机的平均功率大。不管快续流还是慢续流，都满足能量守恒。外部电源给电机做功P，在电源关断...

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MOSFET讲解（14）

MOSFET讲解无论上面并联MOS管也好，还是用二极管也好，实际上都会增加成本，主要因素还是因为续流。续流的时候为什么不能把下管导通呢？如果续流的时候把...

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MOSFET讲解（13）

MOSFET讲解这种单桥臂载波的管子，哪个管子发热会大呢？MOS管的四大损耗：开通损耗，关断损耗，导通损耗，续流损耗上桥臂载波情况下：ON期间M1载波M2...

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MOSFET讲解（12）

MOSFET讲解管子的开通对另一个管子产生影响，造成误导通。怎么解决这个问题呢？从干扰的几个因素来考虑：1、首先从布局上，控制回路要特别小，Id回路也不能...

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MOSFET讲解（11）

MOSFET讲解通过对上面回路的分析，我们认为，对于互补输出电路来说，下管关闭期间，上管瞬间导通，导致下管GS出现干扰，有可能下管误导通。比如说，下管的...

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MOSFET讲解（10）

MOSFET讲解我们希望米勒平台的时间短，但是往往容易出现震荡，反而发热更大。另一方面，如果米勒平台时间短，对于高压管子来说，开通时dv/dt大，所包含的谐波...

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MOSFET讲解（9）

MOSFET讲解　　我们上次讲了，怎么降低开关损耗：1、增大Igs电流：减小栅极电阻；栅极驱动的电流能力要大，充放电2个方向。2、提高Vgs驱动电压：±20V，±...

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MOSFET讲解（8）

MOSFET讲解接下来我们讨论一下Igs电流。由于下拉电阻R2比栅极驱动电阻R3大很多，所以，接下来分析时忽略掉下拉电阻，这个时候就要看电容了。刚开始充电的...

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MOSFET讲解（7）

MOSFET讲解接下来我们继续研究下面这幅图。在t2~t3期间：放大区在t3之后：饱和区当饱和之后，Rdson很小，分压下来，漏极电压就会很低。理论上Vds直线下降，...

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MOSFET讲解（6）

MOSFET讲解我们知道了三极管 MOS管在进入饱和导通之前，必然会经过放大区。好在三极管经过放大区的时间很短，但是MOS管在米勒平台这段区域的时间会更长...

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MOSFET讲解（5）

MOSFET讲解上面是一个正常情况下，电容两端电压的充电波形。但事实上，MOSFET除了在GS端存在电容之外，它还有GD电容，DS电容。那么，GD之间的...

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MOSFET讲解（4）

MOSFET讲解我们上一章讲到了米勒电容，它在MOSFET开通过程中，扮演着十分重要的角色。为什么呢？待会儿再来看。我们先来研究一下MOSFET如何进行...

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MOSFET讲解（3）

MOSFET讲解接下来我们要讲一下开通和关断的问题了。那么，MOSFET如何进行开通，如何进行关断呢？以及在这个过程中，会不会也产生损耗。那么在讲...

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MOSFET讲解（2）

MOSFET讲解我们现在知道了，只要让MOSFET有一个导通的阈值电压，那么这个MOSFET就导通了。那么在我们当前的这个电路中，假设GS电容上有一个阈...

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